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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1590| Modeling and simulation of optoelectronic oscillators based on PHEMT´s Modelado y simulación de osciladores opto-electrónicos a base de PHEMT's | |
| MARIA BERENICE FONG MATA | |
| J. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Líneas de microcinta,Estructuras ranuras en el plano de tierra,Filtros rechazo de banda,Modelado de la línea de microcinta con DGS | |
| En el presente trabajo de tesis se simularon y modelaron osciladores opto-electrónicos a base de transistores de efecto de campo pseudomórficos considerando dos configuraciones distintas, en la primera de ellas se incluye un sintonizador mientras que en la segunda únicamente se emplean atenuadores para el control del nivel de potencia de la señal fundamental a la salida del opto-oscilador. Para llevar a cabo la simulación se estudió la capacidad de fotodetección del transistor utilizando un diodo láser de ?=850nm modulado en amplitud. Se extrajeron los elementos del modelo del circuito equivalente no lineal para modelar el comportamiento del transistor en oscuridad y bajo iluminación monocromática (?=850nm). Se presenta un cuadro comparativo de los resultados de la simulación en relación con los valores obtenidos de forma experimental. Se incluye también el trabajo experimental de una tercera configuración de opto-oscilador donde se utiliza un cambiador de fase. También, se presentan las gráficas que describen la banda de sincronía alcanzada por cada configuración al variar los voltajes de polarización en el transistor y la potencia de la señal moduladora, observándose anchos de banda similares en las tres configuraciones mencionadas (del orden de 22 kHz). Es importante señalar que el opto-oscilador con cambiador de fase conserva la banda de sincronía, aún en frecuencias diferentes a la correspondiente de la señal fundamental del oscilador. Como una segunda alternativa se propone la implementación del opto-oscilador pero incluyendo únicamente el elemento atenuador. Finalmente una tercera opción es el circuito opto-oscilador donde se incluye el elemento sintonizador, se deja al final esta configuración debido a la alta sensibilidad que presenta ante la variación de los parámetros del oscilador (voltajes de polarización, potencia de la señal moduladora). In present thesis, PHEMTs (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) were used for designing optoelectronic oscillators. The optoelectronic oscillators were simulated by a PHEMT–nonlinear model. To control the power level of the optoelectronic oscillator two different configuration were considered in this work, the first one used a tuner and the second one used attenuators in feedback loop. The frequency response of PHEMT to modulated light was studied using the ?=850nm laser diode. In order to build the PHEMTnonlinear model the elements of the nonlinear equivalent circuit model were extracted under dark and under illumination using monochromatic light (?=850nm). A comparative table containing the correlation of both experimental and simulation data is presented. In the experimental study a third configuration of the optoelectronic oscillator was included, in this one a phase shifter was used to control the frequency and the output power of the oscillator. Finally, it is included a graphic data set showing both the locking range reached by each configuration when bias voltage in the transistor and, the power of the modulating signal were varied, observing wide bands similar to the three configurations used in the present work (around 22 kHz). It is important to point out that among the optoelectronic oscillators investigated in this thesis, the optoelectronic oscillator configuration with phase shifter retains the locking range, even at different frequencies from the correspondent of the oscillator fundamental signal. Finally, the optoelectronic oscillator circuit configuration where a tuner element is included, it is considered as the worst oscillator configuration due to the high sensibility observed in the oscillator parameters to bias voltages, modulating signal power. | |
| CICESE | |
| 2006 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Fong Mata,M.B.2006. Modelado y simulación de osciladores opto-electrónicos a base de PHEMT's. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 103 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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| 174161.pdf | Versión completa de la tesis | 3.11 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |