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Evaluación de modelos no-lineales para PHEMT's
José Eleazar Zúñiga Juárez
J. Apolinar Reynoso Hernandez
Acceso Abierto
Atribución
Conmutadores telefónicos
La presente tesis está relacionada con el modelado no-lineal para diferentes familias de transistores PHEMT´s en oscuridad y bajo iluminación (ʎ=630nm y ʎ=830nm). A través de mediciones en régimen estático en oscuridad y bajo iluminación se analizaron tres modelos empíricos para el modelado de las características I-V concluyendo que los modelos de Curtice cúbico y Chen fueron los más exactos para predecir las características I-V así como sus derivadas. Mediante la caracterización en régimen dinámico se extrajeron los elementos del circuito eléctrico equivalente del transistor PHEMT para múltiples polarizaciones en oscuridad y bajo iluminación. Utilizando el modelo de Loo Yau se modelaron las capacitancias CGS y CGD concluyendo que el modelo puede predecir de manera satisfactoria estas capacitancias. Finalmente se realiza una evaluación de estos modelos por medio de la simulación en gran señal utilizando el software ADS, observando que para potencias de entrada bajas los modelos presentaron el mismo comportamiento para la predicción de la potencia de salida. Sin embargo, para potencias de entrada grandes los tres modelos comenzaron a tener diferencias en la predicción de la potencia de salida.
This dissertation deals with nonlinear modeling of PHEMT’s in dark and under illumination (A=630nm y A=830nm). Using DC-IV measurements, in dark and under illumination three different empirical models (Curtice cubic, Chen and Angelov) were investigated. It was found that the Curtice cubic and Chen model predict the I-V data as well as the higher orderderivatives with high accuracy. Onthe other hand, dynamic characterization was performed to extract the nonlinear elements of the electric equivalent circuit of the PHEMTusing multiple bias points in dark and under illumination. Using the Loo Yau model for modeling the capacitors Cgs and Cop in dark and under illumination it was found that the model allows to predict these capacitances. Finally for assessing the performance of the nonlinear equivalent circuit implemented using the above mentioned models a large signal analysis was carried out using ADS software. It was found that at low input power the studied models predict the same output power. Howeverfor high input powerthe three models predict different output power.
CICESE
2003
Tesis de maestría
Español
Zúñiga Juárez, J.E.2003.Evaluación de modelos no-lineales para PHEMT's.Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California
TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES
Aparece en las colecciones: Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones

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