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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1031| Crecimiento de nitruro de galio nanoestructurado Growth of nanostructured gallium nitride | |
| Karina Viridiana Chávez Hernández | |
| Oscar Edel Contreras Lopez | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Nitruro de galio,Nanoestructuras | |
| En la búsqueda por lograr un crecimiento nanoestructurado de GaN, en este trabajo se emplean nanopartículas de oro (Au) para promover el crecimiento de nanovarillas. las nanovarillas semiconductoras fueron sintetizadas en un reactor de depósito por vapores químicos, usando galio metálico y amoniaco como los principales precursores. Las partículas de oro con un diámetro promedio de 100 nm se formaron previamente, sobre superficies de cuarzo y zafiro, como resultado de un horneado de una película delgada de Au. Adicionalmente, se utilizaron partículas de Au comerciales con un tamaño bien definido. La función principal de las nanopartículas de oro es catalizar la reacción química entre los precursores de galio metálico y el vapor de cloruro de amonio. Las propiedades microestructurales de las nanovarillas fueron analizadas por difracción de rayos-X y microscopías electrónicas. Las nanovarillas de GaN cristalizan en la fase hexagonal tipo wurtzita preferencialmente orientados a lo largo de la dirección [0001]. Aiming to a nanostructured growth of GaN in this work, nanorods growth on foreign substrates were promoted by gold (Au) nanoparticles. The semiconducting nanorods were synthesized in a chemical vapor deposition reactor, using metal gallium and ammonia as the main reactants. Gold particles with an average diameter size of 100 nm were previously formed on the substrates, through annealing of a former gold film. Additionally, commercial Au particles of well defined size were used. Main function of Au particles is to catalyze the chemical reaction between gallium precursor and ammonia gas. Gallium precursor is carried to the substrate surface as gallium monochloride, which is produced by an intermediate reaction between gallium and ammonia chloride vapor stream. The microstructural properties of the GaN nanorods were investigated by X-ray diffraction and electron microscopy. GaN nanorods crystallized in the wurtzitetype hexagonal phase preferentially oriented along the [0001] direction. | |
| CICESE | |
| 2011 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Chávez Hernández, K.V.2011.Crecimiento de nitruro de galio nanoestructurado.Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.88 pp | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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