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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1332| Síntesis y caracterización de películas delgadas de SnO:N tipo p para aplicaciones en electrónica flexible Synthesis and characterization of p-type SnO:N thin films for applications in flexible electronics | |
| Angélica María Garzón Fontecha | |
| Wencel Jose De La Cruz Hernández | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Óxido de estaño, Electrónica transparente, Películas delgadas, Semiconductores, Transistores | |
| Los óxidos transparentes son materiales prometedores para la tecnología de los semiconductores porque combinan su conductividad eléctrica con su transparencia óptica. Varios esfuerzos se han dedicado al desarrollo de semiconductores transparentes tipo n para dispositivos de alto rendimiento. Sin embargo, uno de los intereses de la electrónica transparente es el crecimiento de películas delgadas tipo p para el desarrollo de dispositivos complementarios. Por lo anterior, en este trabajo se estudiaron las propiedades eléctricas de las películas delgadas de óxido de estaño dopado con nitrógeno que fueron depositadas por pulverización catódica reactiva DC sobre sustratos de vidrio. Las condiciones para el depósito de estos semiconductores comprenden una presión parcial del gas reactivo entre 7–10% ya sea de N2 y/o O2, una presión en la cámara de crecimiento de 1.8 m Torr y una potencia para el plasma de 30 W. Las películas delgadas se oxidaron por tratamiento térmico a 250 °C por 30 minutos. Los resultados muestran que las películas delgadas sintetizadas tienen una estructura tetragonal, un ancho de banda prohibida entre 2.5–2.8 eV, una resistividad entre 0.5 y 5.5 Ω·cm, una concentración de portadores entre 1018–1019 cm−1 y movilidad Hall en un intervalo de 0.1–0.95 cm2/V·s. Adicionalmente, se fabricaron transistores de películas delgadas transparentes (TFT) tipo p usando como material semiconductor las películas de óxido de estaño dopado con nitrógeno. The transparent oxides are promising materials in the semiconductors technology, because their ability to combine electrical conductivity with optical transparency. Notable efforts have been devoted to developing transparent n-type semiconductors for high performance devices. However, a main interest of the transparent electronics is the growing of p-type thin films to produce complementary devices. In this work, we studied the electrical and optical properties of tin oxide doped with nitrogen thin films deposited on glass by Magnetron Sputtering DC. The conditions to prepare these semiconductors were a partial pressure between 7–10 % (N2 or O2), a total pressure of 1.8 m Torr into the chamber, and the power for the plasma of 30 W. The deposited thin films were oxidized by heat treatment at 250 °C for 30 minutes. Results showed that the deposited thin film shad a tetragonal structure, an optical band gap between 2.5–2.8 eV, resistivity between0.5 and 5.5 Ω·cm, concentration of p-type carriers between 1018 and 1019 cm−3, and Hall mobility between 0.1–0.95 cm2/V·s. Additionally, p-type transistors (TFT) were fabricated using as semiconductor material the tin oxide films doped with nitrogen. | |
| CICESE | |
| 2016 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Garzón Fontecha,A.M.2016.Síntesis y caracterización de películas delgadas de SnO:N tipo p para aplicaciones en electrónica flexible. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 68 pp. | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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