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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1389| Caracterización de los parámetros “s” de transistores de microondas | |
| David Covarrubias Rosales | |
| ARTURO SERRANO SANTOYO | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Redes inalámbricas de sensores, Subsistema de comunicación, Protocolos de control de acceso | |
| En el diseño de amplificadores de microondas, resulta importante conocer lo más preciso posible los parámetros de dispersión o parámetros s del transistor de microondas, debido a que la mayoría de las ecuaciones de diseño involucran el uso de estos parámetros. Una de las formas de definir el valor de estos parámetros es caracterizándolos mediante diferentes técnicas de medición. De todas éstas, la que utiliza una técnica de barrido de frecuencia es la que define más rápida y eficientemente y en un ancho de banda continuo el valor de los parámetros s. Utilizando esta técnica de barrido, por medio del Analizador de Redes, se caracterizarán los parámetros s del transistor de microondas, y se determinarán las características de reflexión y de transmisión de un amplificador de bajo ruido de microondas. | |
| CICESE | |
| 1981 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Covarrubias Rosales,D.1981.Caracterización de los parámetros s de transistores de microondas.Tesis de Maestría en Ciencias.Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada,Baja California.131 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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