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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1457| Estudio comparativo entre diferentes técnicas de extracción de los parámetros de ruido del TEC GaAs Comparative study among different noise parameter extraction techniques of GaAs fet | |
| María del Carmen Maya Sánchez | |
| J. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Figura de ruido, Parámetros de ruido, Técnicas de estracción | |
| La célula básica de un receptor de microondas de alta sensibilidad es un amplificador de bajo nivel de ruido. Los parámetros que deteminan el rendimineto de estos amplificadores son la pareja: figura de ruido, F, y ganacia asociada, Ga. Estos parámetros son impuestos por el tipo de tansistor utilizado en el diseño de amplificador. Por otra parte, los parámetros que determinan el rendiemiento en ruido de un transistor de alta frecuencia son: la figura de ruido mminima, Fo, el coeficiente de reflexion optimo, Γo, y la resistencia equivalente de ruido, Rn. Resalta entonces la necesidad de disponer de tecnicas confiables para extraer los parámetros de ruido de un transistor de alta frecuencia. Basandose en el método de impedancias multiples para la medición de la figura de ruido, se han desarrollado diferentes tecnicas analiticas para extraer los parámetros de ruido de un transistor de alta frecuencia. El trabajo desarrollado ene esta esis se compone de tres partes. La primera en un estudio teórico de las diferentes tecnicas de extracción de parámetros de ruido a partir del método de las impedancias multiples. La segunda parte trata de la implementación de estas tecnicas en un software de ambiente MATLAB. Por ultimi, en la tercera parte se hace un estudio comparativo de estas tecnicas basandose en la confiabilidad de las mediciones tanto de la figura de ruido como de la impedancia de entrada. Los resultados obtenidos indican que las tecnicas mas confiables son la de VASILESCU y la de BOUDIAF. Sin embargo, cuando se producen errores superiores o iguales al 10% en la s mediciones de la figura de ruido y de las impedancias, ninguna tecnica de las aquí estudiadas permite la extracción confiable de los parámetros de ruidp para los transistores de alta frecuencia. The basic cell of microware receivers is a low noise amplifer (LNA). The performance of a LNA is featured by the noise figure, F, and the associated gain, GO. These parameters are controlled by the performance of the transistor used in the LNA design. THe parameters thar determine the noise performance of high frecuncy transistors are: the minimun noise figure, Fo, the optimal reflection coefficient Γo, and the noise equivalent resistence, Rn. Hence, reliable techniques for extracting mocrowave noise parameters o f high frecuncy transistors, This work consist of three parts. The first one is a theorical study of different techniques for extracting noise parameter form the multiple impedance method. Inn the seconda part, a MATLAB software have been developed in order to these techniques be applied. Finally, in the third part these techniques have been compared to each other after the measurement reliability of noise figure and input impedance. Our results indicate that the most reliable techiniques are those of VASILESCU an BOUDIAF. However, when error in noise figure and impedance measurements are larger than or equal to 10%, none of the studied techniques alloe the accurate extraction of high frecuency transistors noise parameters. | |
| CICESE | |
| 1997 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Maya Sánchez,M.C.1997.Estudio comparativo entre diferentes técnicas de extracción de los parámetros de ruido del TEC GaAs.Tesis de Maestría en Ciencias.Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada,Baja California.147 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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