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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2105| Cálculo teórico de las propiedades electrónicas del MoTe2 con el método de amarre fuerte-Huckel extendido. THEORETICAL CALCULATION or ELECTRONIC PROPERTIES oF More; USING EXTENDED HÚCKEL-TIGHT B1N1)1NG METHOD. | |
| Alfredo Tlahuice Flores | |
| Donald Homero Galvan Martinez | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Catalizadores,Orbitales moelculares,Dicalcogenuros,Propiedade eléctricas,Metales de transición | |
| Existen muchos cálculos realizados en los llamados dicalcogenuros de metales de transición, los cuales pueden presentar geometrías octaédricas y e prisma trigonal. El 2H-MoTe2, posee seis átomos de Te arreglados en una geometría de prisma trigonal, alrededor del Mo, cuya configuración es d^2. Presenta un comportamiento de material semiconductor, lo cual se atribuye al desdoblamiento y llenado de los orbitales d, para este tipo de geometría. En este trabajo se analizan las propiedades electrónicas del 2H-MoTe2, aplicando el método Hückel extendido-Tight binding, con ello justificamos su comportamiento de semiconductor. The so called dichalcogenides of transition metals, present both octaedrical and trigonal prismatic geometry. The 2H-MoTe2 has six Te atoms around of Mo atom in trigonal prismatic geometry, which configuration is d^2. This compound presents a behavior of semiconductor; it is attributed to splitting and the way in that its orbitals are occupied. In this work we study the electronic properties of the 2H-MoTe2 using the Extended Hückel-Tight Binding method and give light about its semiconductor behavior. | |
| CICESE | |
| 2000 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Tlahuice Flores, A.2000.Cálculo de propiedades electrónicas del MoTe2 con el método de amarre fuerte-Huckel extendido..Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.58p. | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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