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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2113| Estudio de los efectos que tienen los portadores de dispositivos activos (PHEMTs) de alta frecuencia en la extracción de los elementos del circuito eléctrico equivalente. Study of the effects produced by PHEMT carriers at high frequencies on the extraction of electric equivalent circuit elements | |
| Miguel Enrique Martínez Rosas | |
| J. Apolinar Reynoso Hernández Francisco Javier Mendieta Jiménez | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Agrupamiento de antenas | |
| Los receptores de sistemas de comunicaciones ópticas coherentes están formados básicamente por un arreglo de fotodiodos y un preamplificador de banda ancha. El diseño del preamplificador se realiza empleando las técnicas conocidas de diseño de sistemas de microondas. Una parte importante del diseño del preamplificador se realiza con ayuda de programas de simulación de circuitos de microondas, los cuales emplean modelos de los componentes pasivos y activos del sistema. Dichos modelos se derivan de mediciones realizadas a los componentes. El elemento crítico en el diseño de un amplificador es el dispositivo activo o transistor, que para el caso de nuestro diseño fue un dispositivo del tipo PHEMT (Transistor Pseudomórfico de Electrones de Alta Movilidad - por sus siglas en inglés-). Por lo tanto es crucial conocer con exactitud los elementos del modelo en pequeña señal del transistor. En este trabajo se describe la metodología empleada para extraer los valores de los elementos del modelo del transistor por medio de mediciones dinámicas realizadas bajo diferentes condiciones de polarización. Una contribución original de este trabajo se presenta en el estudio sistemático realizado sobre el efecto del portador (chip carrier). Basado en los resultaods obtenidos de la investigación, se desarrolló un nuevo modelo para el portador. The receivers used for coherent optical communications are composed by a set of photodiodes and a wideband preamplifier. The design of the amplifier is performed using the well known microwave techniques. Normally the design is done with microwave CAD software which uses models of the pasive and active components. The models are derived from measurements. The key element in amplifiers design is the active device (PHEMT - Pseudo-Morphic High Electron Movility Transistor - in our case), therefore it is very important to know accurately the small-signal transistor model. In this work the methodology used to extract the element values by dynamic characterization under different bias conditions is described. An original contribution of this work is presented in the sistematic study about the package (chip carrier) effect. Based on the results obtained from this package investigation a new model was developed for the chip carrier. | |
| CICESE | |
| 2000 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Estudio de los efectos que tienen los portadores de dispositivos activos (PHEMTs) de alta frecuencia en la extracción de los elementos del circuito eléctrico equivalente. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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