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Influencia de la luz en los TEC GaAs
Influence of light on TECs GaAs
David Alejandro Zevallos Castro
J. Apolinar Reynoso Hernández
Acceso Abierto
Atribución
Estaciones telefónicas
Se presenta un análisis teórico y experimental de la influencia de la luz en los transistores de efecto de campo GaAs de microondas PHEMT. El objetivo es estudiar la posibilidad y relevancia de la aplicación de técnicas de iluminación óptica en tales dispositivos activos. Otra meta es reproducir los fenómenos inducidos ópticamente reportados en la literatura técnica en dispositivos activos de microondas (no exactamente construidos para aplicaciones electro-ópticas) y estudiar las ventajas o desventajas de las técnicas ópticas en la mejora y/o optimización del desempeño de circuitos electrónicos de alta frecuencia.
A theoretical and experimental analysis of the influence of light on GaAs field effect high frequency transistors (PHEMT) is presented. The objective is to study the possibility and relevance of the application of optical illumination techniques on such devices. Another goal is to reproduce the optically induced phenomena reported in the technical literature on active microwave devices (no exactly constructed for electro-optical applications) and to study the advantages and drawbacks of optical techniques in the improvement and/or optimization of the performance of high-frequency electronic circuits.
CICESE
2000
Tesis de maestría
Español
Zevallos Castro, D. A.2000.Influencia de la luz en los TEC GaAs. Tesis de maestría en ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.129 p.
TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES
Aparece en las colecciones: Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones

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