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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2128| Modelo no-lineal de un PHEMT y su aplicación en el diseño de un amplificador de alta ganancia en la banda de 8 a 12 GHz Non linear PHEMT model and it application in a high gain amplifier design in the 8-12 GHz band | |
| José Alberto Ramírez Aguilar | |
| J. Apolinar Reynoso Hernández | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Comunicaciones ópticas | |
| En el presente trabajo de tesis se presenta el diseño de un amplificador de alta ganancia en el rango de frecuencia de 8-12 GHz usando un PHEMT operando al punto de polarización donde ocurre la máxima transconductancia (Gm). Este diseño se lleva a cabo a partir del conocimiento del circuito eléctrico equivalente en pequeña señal de un trransistor PHEMT F4X25 de 0.25 micras de longitud de compuerta. El proceso de diseño del amplificador incluye la síntesis de redes de acoplamiento con respuesta tipo Chebyshev tanto en elementos concetrados como en distribuidos usando MDS y Libra. Una retroalimentación negativa es empleada para lograr la estabilidad incodicional del PHEMT y mantener plana la respuesta en toda la banda de operación. Para lograr predecir la IMD (distorsión por intermodulación), se empleó el modelo no lineal de Chen modelando la corriente de drenador IDS (VGS, VDS) así como sus primeras tres derivadas asociadas. Finalmente, la simulación del amplificador de alta ganancia se lleva a cabo en el paquete comercial MDS para análisis y diseño de circuitos de microondas, pudiendo lograr una ganancia de 11.5 dB, con una relación de onda estacionaria de voltaje a la entrada y a la salida por abajo de 1.9 en todo el ancho de banda. This dissertation deals with the design of microwave amplifiers in the frecuency range the 8-12 GHz using a PHEMT operated at the bias point where the maximum value of (Gm) occurs. The amplifier design is based on the knowledge of the small signal equivalent circuit of a PHEMT F4X25 featured by a 0.25 - µm gate lenght. The amplifier design process involve synthesis of matching networks with Chebyshev response in pasive and distribuite elements using MDS and Libra. A negative feedback is used to achieve the stability condition and flat response of the gain amplifier. In order to predict IMS (Intermodulation distortion), we use the Chen's non-linear model modelling the drain current IDS (VGS, VDS) and the first three associates derivaties. Finally, the performance of the amplifier was evaluated using MDS commercial simulation software. The achieved gain is 11.5 dB with an input and output VSWR of 1.9 in all the bandwith. | |
| CICESE | |
| 2000 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Ramírez Aguilar, J. A.2000.Modelo no-lineal de un PHEMT y su aplicación en el diseño de un amplificador de alta ganancia en la banda de 8 a 12 GHz.Tesis de maestría en ciencias.Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.196 p. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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