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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2129| Desarrollo de modelos no-lineales para el análisis de la distorsión por intermodulación en MESFET's y HEMT's operando en gran señal. Development of nonlinear models for intermodulation distortion analysis in MESFET's and HEMT's driven in large-signal | |
| Raúl Infante Galindo | |
| J. Apolinar Reynoso Hernández | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Sistemas de comunicaciones inalámbricas,Telecomunicaciones | |
| La presente tesis está relacionada con el modelado no-lineal de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs: MESFET y HEMT), mediante el desarrollo de modelos analíticos no-lineales utilizados para la representación de los elementos no-lineales presentes en su circuito eléctrico equivalente. Además, basado en el modelo no-lineal se realiza el análisis y estimación de los niveles de potencia correspondientes al fenómeno de distorsión por intermodulación (IMD) generado en este tipo de dispositivos. A través de mediciones eléctricas en régimen estático para las dos regiones de funcionamiento del transistor (región óhmica y región de saturación), se analiza el comportamiento de dos de los modelos empíricos más exactos para la representación de la fuente de corriente controlada por voltaje, principal elemento no-lineal en los TEC GaAs. De esta manera se modelan las características I-V y sus primeras tres derivadas, condición necesaria para el buen desempeño del modelo en el cálculo de la IMD. Concerniente al modelado de los elementos no-lineales reactivos intrínsecos, la caracterización en régimen dinámico permite, mediante la medición de los parámetros de dispersión, extraer el valor de estos elementos reactivos del TEC GaAs. Finalmente, utilizando el método de dos tonos y con ayuda del modelo no-lineal para la fuente de corriente, se realiza una estimación de los niveles de potencia de la IMD en función de los voltajes de control del transistor. The present dissertation deals with the nonlinear modelling of gallium arsenide field effect transistor (GaAs FET: MESFET and HEMT). Using DC I-V measurements two different analytical models (Chalmers and Chen model) were utilized for modelling the I-V behavior of MESFET's and HEMT's operated in ohmic and saturation regions. Experimental results got with both models indicate that Chen model is more reliable than Chalmers model to fit experimental I-V data. Concerning the modelling of reactive nonlinearities, in this case gate-source capacitance Cgs and gate-drain capacitance Cgd, based on Chen model an improved analytical model to fit Cgs and Cgd was developed. Finally, using a two-tone technique and using the analytical nonlinear Chen model a study of intermodulation distortion IMD as a function of bias was carry out. | |
| CICESE | |
| 2000 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Infante Galindo, R.2000.Desarrollo de modelos no-lineales para el análisis de la distorsión por intermodulación en MESFET's y HEMT's operando en gran señal.Tesis de maestría en ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.222 p. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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