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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2130| Estudio de las propiedades estructurales y de transporte electrónico del sistema P1-xCaxBa2Cu3O7-y en capas delgadas. STUDY OF THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC TRANSPORT PROPERTIES IN THE Pr¡.,(Ca,¡Ba2Cu¡O-,.y (0 5 x S 0.5) SYSTEM IN THIN FILMS. | |
| Jesús Antonio Díaz Hernández | |
| Jesús María Siqueiros Beltrones | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Microscopía electrónica de transmisión,Depositación de láser pulsado,Superconductividad | |
| Se depositaron capas delgadas de Pr1-xCaxBa2Cu3O7-y (0 ≤ x ≤ 0.5), sobre sustratos de SrTiO3 y YSZ a diferentes temperaturas utilizando la técnica de láser pulsado. Los análisis de los espectros de difracción de rayos X de las capas mostraron un crecimiento epitaxial de éstas sobre los sustratos de YSZ (para x = 0 y 0.3) en la dirección a-b y c a temperaturas de 550oC y 600oC, respectivamente. En las capas depositadas sobre los sustratos de SrTiO3 a 650oC, se observó un crecimiento epitaxial en la dirección c, así como la aparición de otras fases, aún desconocidas, para concentraciones mayores de 0.3. La estructura cristalina de la interfaz PrBa2Cu3O7-y/YSZ depositada a 570oC fue estudiada en detalle por microscopía electrónica de transmisión de alta resolución, encontrando que el material crece inicialmente en la dirección del eje a hasta un grosor de aproximadamente 40 Å, a partir de aquí, sufre un cambio en la orientación, depositandose ahora a lo largo de la dirección del eje c. Las propiedades de transporte electrónico fueron analizadas por medio de la técnica de las cuatro puntas, donde las curvas de p vs T obtenidas se ajustaron del modelo de conducción típico de los materiales semiconductores impurificados, encontrándose que a bajas temperaturas domina una conducción electrónica por saltos entre estados localizados, y a temperaturas altas un mecanismo de conducción intrínseca. Thin films of Pr-xCa1-xBa2Cu3O7-y (0 ≤ x ≤ 0.5), were deposited on SrTi03 and YSZ substrates at different temperatures by pulsed laser deposition method. The X-ray diffraction pattern analysis showed epitaxial growth on YSZ substrates (for x =0 and 0.3) in the a-b and c direction at temperatures of 5500C and 6000C, respectively. For the thin films deposited on SrTi03 at 6500C a preferential growth in the c direction was observed, in addition to other phases, still unknown, for concentrations of Ca higher than 0.3. The crystalline structure of the PrxCa1-xBa2Cu307-y/YSZ interface deposited at 570 0C was studied in detail by high-resolution transmission electron microscopy, obtaining that the material grows, at first, along the ɑ-axis direction up to approximately 40 Å of thickness, and from then on, undergoes a change in orientation, growing along the c-axis direction. The electronic transport properties were analyzed using the four-probe method, the p Vs T curves obtained were fitted with the typical model of conduction in doped semiconductors, finding that, at low temperatures a hopping conduction between localized states dominate, and at higher temperatures, an intrinsic conduction mechanism prevails. | |
| CICESE | |
| 2000 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Díaz Hernández, J. A.2000.Estudio de las propiedades estructurales y de transporte electrónico del sistema P1-xCaxBa2Cu3O7-y en capas delgadas..Tesis de Doctorado en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.67 p. | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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