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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2134| Obtención de los parámetros de ruido a partir del circuito eléctrico equivalente en pequeña señal de un transistor Tec GaAs. Noise parameter determination using GaAs FET small signal equivalent electric circuit | |
| Susana Padilla Corral | |
| J. Apolinar Reynoso Hernández | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Sistemas de comunicaciones inalámbricas | |
| La presente tesis está relacionada con la obtención de los parámetros de ruido de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs) a partir del conocimiento del circuito eléctrico equivalente en pequeña señal y de la figura de ruido determinada a una impedancia fija (F50). Se propone un método matemático para determinar los cuatro parámetros de ruido: figura de ruido mínima Fmin, coeficiente de reflexión de fuente óptima Γ opt (magnitud y fase) y resistencia de ruido Rn utilizando matrices de correlación. Este método propuesto consiste en calcular la matriz de correlación (CTA) en representación cadena del circuito eléctrico equivalente. La matriz CTA es divida en matriz de correlación extrínseca C EXT A e intrínseca CINTA en donde la primera es obtenida mediante el conocimiento de los elementos parásitos del circuito eléctrico (Rg, Rd, Rs, Lg, Ld, Ls, Cpg, Cpd) y la matriz CINTA es conocida por medio de los parámetros “S” intrínsecos o los valores de los elementos intrínsecos (Cgd Cgs Cds Ri, Rds, gm) y la figura de ruido determinada a una impedancia fija (F50). El principal interés del desarrollo de esta técnica surge de la necesidad de cubrir las desventajas que presenta la técnica de impedancias múltiples, además de reducir la complejidad en el procedimiento de medición de los parámetros de ruido. This dissertation deals with the extraction of the noise parameters of the GaAs FET's computed using the small signal equivalent circuit and the noise figure measurement F50. In this work a method for computing the four noise parameters: minimum noise figure F mm, optimum source reflection coefficient Γ opt (magnitude and phase) and noise resistance Rn, is proposed using the correlation matrix. The proposed method is based on the determination of the ABCD correlation matrix CTA I of the small signal equivalent circuit. On the other hand, the matrix CTA is divided in two new matrix CEXTA, and CINTA . While is CEXTA is determined from the parasitic elements (Rg, Rd, Lg, Ld, Ls, Cpg, Cpd) computation and CINT A is computed from the intrinsic S parameters computed from the knowledg ofthe intrinsic elements (C gd' C gs' C ds Ri, Rds, gm) and also using the noise figure measured using the F50 thechnique. The major interest in the develop this method is that the use of a tuner is not needed. | |
| CICESE | |
| 2000 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Padilla Corral, S.2000.Obtención de los parámetros de ruido a partir del circuito eléctrico equivalente en pequeña señal de un transistor Tec GaAs.Tesis de maestría en ciencias.Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.173 p. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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