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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2172| Modelado de ruido en transistores de alta frecuencia con y sin iluminación aplicando las técnicas F50 y de impedancias múltiples Noise modeling of hight frequency transistors, with and without laser illumination, applying F50 and multiple impedances techniques | |
| Brenda Edith Figueroa Reséndiz | |
| María del Carmen Maya Sánchez | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Factor de ruido, Parámetros de ruido, Matrices de correlación, Modelos de ruido, Circuito eléctrico equivalente, Impedancias múltiples, Noise factor, Noise parameters, Correlation matrix, Noise models, Electrical equivalent circuit, Multiple impedances | |
| El interés de modelar el ruido en los transistores nace de la necesidad de operarlos en un nivel óptimo para obtener un mayor aprovechamiento de los mismos, así como el poder predecir el comportamiento de los parámetros de ruido a diferentes frecuencias y puntos de polarización. Bajo la anterior premisa surgen estudios que presentan modelos de ruido del transistor intrínseco. Estos modelos están basados en la medida de los parámetros de ruido utilizando la técnica de impedancias múltiples y la técnica F50. La presente tesis está relacionada con la obtención de los parámetros de ruido de transistores de alta frecuencia, utilizando las técnicas F50 y de impedancias múltiples. Para ello se utilizan factores de ruido medidos así como los coeficientes de reflexión asociados, además de sus parámetros de dispersión y los elementos del circuito eléctrico equivalente del transistor. Se presenta la extracción de los parámetros de ruido a partir del conocimiento del modelo de ruido que representa la contribución de ruido total del dispositivo. Asimismo, se compara el comportamiento de ruido del transistor intrínseco y sus parámetros de ruido calculados a partir de mediciones hechas con las técnicas de impedancias múltiples y con los valores obtenidos por F50. Los resultados se muestran en función de la polarización y de la frecuencia. Se presentan también los parámetros de ruido y el comportamiento de ruido del transistor intrínseco bajo la influencia de un haz de luz coherente. The interest in to develop the transistor noise models lies in to predict the behavior of the transistor noise parameters at different frequencies and at different bias points. In this way, some noise models of the intrinsic transistor have been studied. These models are developed by using the F50 and multiple impedances techniques. The present dissertation deals with the noise parameters extraction of high frequency transistor, by using F50 and multiple impedances techniques. These techniques are implemented from measurements of noise factors and the associate reflection coefficients as well as the scattering parameters and the elements of the electrical equivalent circuit of the transistor. In this work the extraction of the noise parameters from F50 and multiple impedances is presented in detail. Experimental results of the intrinsic noise behavior and the noise parameters of the transistor, using the F50 and the multiple impedances techniques, are presented and compared. The bias and the frequency dependence of the transistor noise parameters are investigated under dark and under illumination conditions using monochromatic light from 850-nm laser diode. | |
| CICESE | |
| 2005 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Figueroa Reséndiz, B. E.2005.Modelado de ruido en transistores de alta frecuencia con y sin iluminación aplicando las técnicas F50 y de impedancias múltiples.Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.151 p. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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