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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/218| Estudio de las propiedades eléctricas de líneas de transmisión coplanares fabricadas en silicio utilizando óxido de silicio rico en silicio (SRO) como pasivador de interfase Study of electrics characteristics of coplanar transmission line fabricated in silicon using silicon rich oxide (SRO) as passivation layer interface | |
| Rebeca Leal Romero | |
| J. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ Ignacio Enrique Zaldívar Huerta | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Transistores con modulación impurificada,Modelos no lineales,Transistores HEMT,Medición de uno y dos tonos,Fotorespuesta,Modulation doped transistors,Nonlinear Models,HEMT transistors,Measurement of one and two tones,Photo-response | |
| El óxido de silicio rico en silicio (SRO) se puede considerar como un material multi-fase compuesto de una mezcla de óxido de silicio estequiométrico (SiO2), oxido fuera de estequiometria (SiOx) y silicio elemental. Las películas de SRO con diferentes excesos de silicio (Ro) generalmente son obtenidas mediante la técnica de depósito químico en fase vapor a baja presión (LPCVD). En este material se han observado dos características eléctricas interesantes: la habilidad de mejorar la conducción eléctrica a través del SiO2, y la propiedad de poder atrapar cargas. La primera característica ha sido utilizada para fabricar memorias programables eléctricamente con material SRO, debido a que requiere muy bajos voltajes. En el caso del atrapamiento de carga, este se debe a la existencia de trampas que son univalentes, esto es, que pueden atrapar o liberar un electrón a la vez y pueden atrapar tanto carga positiva como negativa. Para estudiar el efecto de las propiedades eléctricas de líneas de transmisión coplanares usando óxido de silicio rico en silicio como pasivador de interfase se diseñaron, fabricaron y caracterizaron tres estructuras de líneas de transmisión coplanar: convencionales, micromaquinadas (con grabado iónico reactivo), y líneas con la técnica de oxidación local de silicio (LOCOS) sobre un substrato de silicio de alta resistividad con y sin implantación N+ en la parte posterior. The silicon rich oxide (SRO) can be considered as a multi-phase material composed of a mixture of stoichiometric silicon oxide (SiO2), out of stoichiometric oxide (SiOx) and elemental silicon. SRO films with different silicon excess (Ro) were deposited by Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD). In this material has been observed two interesting electric properties: the ability to improve the electrical conduction through the SiO2, and the property to catch loads. The first feature has been used to produce electrically programmable memories, because it requires very low voltages. In the case of charge trapping is due to the existence of traps that are univalent, that is, which can trap or release one electron at a time and can trap both positive and negative charge. For a study of the electrics characteristic of coplanar transmission lines using silicon rich oxide as a passivation layer, were designed, fabricated and characterized three structures of coplanar transmission lines: conventional, micromachining (with reactive ion etching), and lines with the technique of local oxidation of silicon (LOCOS) on high resistivity silicon with and without N+ backside to allow | |
| CICESE | |
| 2011 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Leal Romero,R.2011. Estudio de las propiedades eléctricas de líneas de transmisión coplanares fabricadas en silicio utilizando óxido de silicio rico en silicio (SRO) como pasivador de interfase. Tesis de Doctorado en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 75 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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