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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2190| Desarrollo de modelos de FET's para predecir los fenómenos de distorsión en GaAs FET's utilizando mediciones I(V) pulsadas y capacitancias no-lineales Development of FET models to predict the distortion effects in GaAs FET´s using pulsed I(V) measurements and non-linear capacitance | |
| Daniel Alberto Sánchez Herrera | |
| J. Apolinar Reynoso Hernández | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Modelo no-lineal, Capacitancia, Carga de compuerta, No-linear model, capacitance, Gate charge | |
| La presente tesis está enfocada al modelado no-lineal de transistores MESFET y PHEMT´s con énfasis en el estudio y evaluación de distintos modelos analíticos de capacitancia Cgs (Vgs, Vds) y CgdVgs, Vds). Para evaluar los modelos no-lineales de los transistores MESFET y PHEMT se comparan datos experimentales de AM/AM y AM/PM con datos teóricos obtenidos con la simulación en gran señal del circuito eléctrico equivalente no-lineal por medio del simulador de circuitos Advanced Design System. Los modelos de capacitancia nolineal estudiados y evaluados son: Angelov et al. (1992), Rodríguez et al. (1994), Hallgren-Litzenberg (1999), Loo et al. (2011), Wren-Brazil (2004) y Forestier et al. (2004), de los cuales, con excepción del modelo de Loo et al. (2011) y Hallgren-Litzenberg (1999), se presenta una metodología nueva para obtener los valores iniciales. Se presenta una mejora a los modelos de Rodríguez et al. (1994) y Wren-Brazil (2004), y una metodología matemática nueva y más fácil de representar el modelo de Hallgren-Litzenberg (1999). Los datos de AM/AM y AM/PM obtenidos con la simulación en gran señal son comparados con los datos experimentales obtenidos de las mediciones efectuadas en transistores en oblea, PHEMT y MESFET, utilizando un novedoso banco de medición basado en la medición del S21 con analizador de redes. También se incluyen mediciones en un tono para observar el contenido armónico de los transistores, así como mediciones en dos tonos para observar los productos de intermodulación de los transistores. The present dissertation if focused on the MESFET and PHEMT transistor non-linear modeling with emphasis on the study and evaluation of different Cgs(Vgs, Vds) and Cgd(Vgs, Vds) analytical capacitance models. To evaluate MESFET and PHEMT´s non-linear model, experimental data of AM/AM and AM/PM are compared with theoretical data obtained from large signal simulation of the non-linear equivalent circuit model using Advanced Design System. The studied and evaluated non-linear capacitance models are: Angelov et al. (1992), Rodríguez et al. (1994), Hallgren-Litzenberg (1999), Loo et al. (2011), Wren-Brazil (2004) y Forestier et al. (2004), of which, with the exception of Loo et al. (2011) y Hallgren-Litzenberg (1999) model, a new methodology to obtain their initial values is presented. Improvements to Rodríguez et al. 1994) and Wren-Brazil´s (2004) model are presented, as is a new and easier mathematical methodology to represent Hallgren-Litzenberg´s (1999) model. | |
| CICESE | |
| 2006 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Sánchez Herrera, D. A.2006.Desarrollo de modelos de FET's para predecir los fenómenos de distorsión en GaAs FET's utilizando mediciones I(V) pulsadas y capacitancias no-lineales.Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.152p. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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