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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2266| Estudio de la estabilidad térmica de películas de CNx sintetizadas por ablación láser Study of the thermal stability of CNx thin films synthesized by laser ablation | |
| Luz María Gutiérrez Robles | |
| ENRIQUE CUAUHTEMOC SAMANO TIRADO | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Nitruros de carbono, PLD, TDS, ATR, Cianégeno (C2N2), Carbonnitride, PLD, TDS, ATR, Cyanogen | |
| Se presenta un estudio de la estabilidad térmica de películas delgadas de CNx sintetizadas mediante la técnica de ablación laser utilizando grafito puro como blanco y nitrógeno molecular como gas reactivo. En la síntesis de las películas se varió la presión de nitrógeno en el intervalo de 10 a 200 m torr, observándose una relación lineal con la concentración a bajas presiones hasta llegar a un límite de saturación, donde la concentración permanece constante. Este límite ocurre a una presión de 45 mtorr aproximadamente, correspondiendo a una composición de CNo,39. El estudio de la estabilidad térmica de las películas de CN, en el intervalo de T ambiente a 900 °C fue la parte central de este trabajo, para ello se seleccionó como película prototipo una película de CN, sintetizada a 100 m Torr de presión de nitrógeno. En la caracterización de las películas se utilizaron diversas técnicas in situ, tales como espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS), espectroscopia de electrones Auger (AES), espectroscopia de pérdidas de energía electrónica (EELS) y espectroscopia de desorción térmica (TDS). Así como reflectancia total atenuada (ATR) Ilevada a cabo de manera ex situ. Los resultados obtenidos mediante las técnicas de XPS, TDS y ATR usadas en forma complementaria nos muestran evidencia de la formación de cianógeno (C2N2) y estructuras tipo para cianógeno durante la síntesis de las películas de CNx. The thermal stability of CN, thin films has been studied in the room temperature to 900 °C temperature range. The films were synthesized on a single crystal silicon wafer using the laser ablation technique by meansofapyrolitic graphite target and molecularnitrogen. The nitrogen pressure wasvaried in the 10 - 200 mtorr pressure range during film processing. A linear relationship between nitrogen concentration in the film and pressure was foundin the low pressure regime up to a threshold value, 45 mtorr. However, the concentration kept constant at nitrogen pressures above 45 mtorr with a fixed composition of CNpo,39 in the thin films. A CN, film grown in a nitrogen atmosphere at 100 mtorr was chosenas the prototype film for the thermal stability study utilizing a wide variety of surface techniques. X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), Auger Electron Spectroscopy (AES), Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS) and Thermal Desorption Spectroscopy (TDS) techniques were used for in situ characterization of these films. Attenuated Total Reflectance (ATR) was used for ex situ characterization. The results obtained by XPS, TDS and ATRclearly show the formation of cyanogen (C2, N2) and paracyanogenlike structures during the CN, film synthesis. | |
| CICESE | |
| 2001 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Gutiérrez Robles, L.M.2001.Estudio de la estabilidad térmica de películas de CNx sintetizadas por ablación láser.Tesis de Maestría en Ciencias.Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.72 pp. | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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