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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/285| Comparación de modelos lineales en modo pulsado y no pulsado de transistores GaN de potencia Comparison of linear models in pulsed mode and non-pulsed mode of GaN power transistors | |
| Jonathan Raúl Monjardín López | |
| J. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ Raúl Loo Yau José | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Transitores de efecto campo | |
| Los transistores de nitruro de galio (GaN) son fuertes candidatos para reemplazar a los tubos de vacío en aplicaciones de amplificación de mediana potencia es los sistemas de comunicación, gracias a su alto voltaje de ruptura y alta movilidad electrónica, Debido también a su alto rendimiento en potencia de salida y frecuencia de operación, son cada vez más usados en el diseño de amplificadores de potencia para aplicaciones en los sistemas de comunicación: transmisión de datos para dispositivos móviles y redes inalámbricas de área local. La alta eficiencia que se puede alcanzar al ser utilizado con topologías de amplificadores de última generación es también un factor importante que hace de este dispositivo un excelente candidato para las aplicaciones de alta potencia. El diseño asistido por computadora de amplificadores de radio-frecuencia requiere de un modelo que describa de la manera más exacta posible el comportamiento del dispositivo activo a utilizar. El modelo es obtenido a partir de mediciones adquiridas al aplicar físicamente una serie de condiciones de alimentación que provocan efectos sobre el dispositivo (Corrientes, voltajes y respuesta a una señal de RF), que son cuantificados y registrados para su posterior análisis y procesamiento. Las condiciones de alimentación que se aplican al dispositivo son sumamente importantes dado que depende de estas características el funcionamiento que se observará en el transistor. En este trabajo de tesis se realizó una investigación sobre la caracterización y modelado de transistores (GaN y SiC) con dos diferentes modos de medición: medición pulsada y no pulsada, con el objetivo de observar las diferencias que existen entre estos modos de caracterización y los efectos que pueden llegar a observarse al utilizar cada uno de los procesos de medición. Se obtuvieron modelos lineales de los transistores con diferentes condiciones de alimentación y se realizaron comparaciones entre ellos. Los modelos lineales se verificaron en cada uno de los casos al reproducir los datos experimentales obtenidos. Gallium nitride transistors are strong candidates to be the successors of vacuum tubes in amplifying applications on medium power for communication systems. They are being used more frequently in the design of power amplifiers for communication systems such as: data transmission for mobile devices and wireless local area networks due to their high performance on output power and frequency of operation. The high efficiency that can be achieved by being used alongside new generations of amplifier circuit layouts is also an important factor that makes this device an excellent candidate for high power applications. Computer aided design of RF amplifiers require an accurate model of the active device considered for the application. That model is obtained from measurements taken by applying a series of voltage supply conditions that produce effects on the device such as: voltages, currents and response to RF excitement, which are quantified and stored for later analysis and processing. These supply conditions are very important because they are responsible of the performance that will be observed on the device. This work was focused on the research of the characterization and modeling of gallium nitride and silicon carbide transistors with two different measurement modes: pulsed measurements and non-pulsed measurements, with the objective of observing the existent differences between those measurement modes and the effects that can be seen by using each of those processes. Several linear models of transistors were obtained with different supply conditions and compared between them to conclude the observations. The obtained models were verified in each case by matching the experimental data with the modeled data. | |
| CICESE | |
| 2014 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Monjardín López,J.R.2014. Comparación de modelos lineales en modo pulsado y no pulsado de transistores GaN de potencia. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 114 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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