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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2924| Estructura electrónica del a-Bi2O3 con el método de enlace fuerte Huckel extendido. | |
| José Cuauhtémoc Samaniego Reyna | |
| Donald Homero Galvan Martinez | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Oxidos, Sólidos, Propiedades eléctricas, Cristales - Propiedades eléctricas. I. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada. División de Física Aplicada. Departamento de Física de Materiales. II. t. | |
| El α-Bi203 es un material importante en la fabricación de catalizadores de Bi-Mo-O. No se han encontrado estudios sobre la estructura electrónica de tal material en la literatura científica. Se presenta un estudio de la estructura electrónica del α-Bi203 utilizando el método semiempírico de Enlace Fuerte - Hückel Extendido. Nuestros resultados incluyen estructura de bandas, densidades de estados y población de traslape. Se ha encontrado un gap de energía de 3.48 eV en el punto Gamma, así mismo, de la topología de bandas de energía se observa la ausencia de un gap semiconductor. Presenta estados ocupados en la banda de conducción en los orbitales tipo p, s del Bismuto y orbitales tipo p del Oxígeno contribuyendo a la conductividad eléctrica del material. Se discute también el papel de los enlaces Bi- O y Bi- Bi en la estabilización de tal estructura. The α-Bi203 simple cubic phase is an important material in the construction of catalitic materials of Bi-Mo-O. There are no studies about the electronic structure of such materials in the scientific literature. We present a study of electronic structure of α-Bi203 with semiempirical tigh binding - extended Hückel method. Our results include band structures, densities of states and overlap population. We find that there is a gap energy of 3.48 eV in the point Gamma, in same way, the topology of band structures no present a semiconductor gap. There are ocuppation states in the conduction band for type p, s Bismut orbitals and type p Oxigen orbitals that contributies to the electrical conductivity. The role of Bi-O and Bi—Bi bonding in the stabilization of such structure is also discussed. | |
| CICESE | |
| 1997 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Samaniego Reyna, J. C. 1997.Estructura electrónica del a-Bi2O3 con el método de enlace fuerte Huckel extendido.. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 81 pp. | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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