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Diseño y construcción de amplificadores con GaAs FETs de bajo ruido para comunicaciones vía satélite.
Arturo Velázquez Ventura
Arturo Serrano Santoyo
Acceso Abierto
Atribución
Sistemas de transmisión de datos , Acesso de control, Sistemas electrónicos, Acceso de control
En el presente trabajo se presenta una alternativa para el diseño y construcción de amplificadores de bajo ruido para microondas. Estos amplificadores utilizan transistores de efecto de campo fabricados con Arseniuro de Galio (GaAs FFTs), los cuales han demostrado su eficiencia y superioridad sobre otros dispositivos en esta aplicación. Los aspectos tratados incluyen el factor de ruido y la ganancia, ya que para la aplicación inmediata de estos amplificadores, se requiere que el nivel de ruido sea el mínimo posible asociado a una ganancia moderada. La circuitería se realiza sobre microcinta abierta, para aprovechar las ventajas de esta tecnología en altas frecuencias y la facilidad de reproducción de circuitos. Dentro del método de diseño que se utiliza en el desarrollo del trabajo, se incluyen secciones de análisis y optimización de redes con ayuda de la computadora. El procedimiento general se prueba con la construcción de un amplificador de una etapa, el cual presenta características cercanas a las especificaciones típicas de amplificadores de su tipo. Los resultados experimentales muestran que el amplificador construido tiene una ganancia de 10.5 ± 1.5 dB y un factor de ruido de 3.8 ± 0.5 dB a lo largo de la banda de 3.7 a 4.2 GHz.
CICESE
1980
Tesis de maestría
Español
Velázquez Ventura, A. 1980.Diseño y construcción de amplificadores con GaAs FETs de bajo ruido para comunicaciones vía satélite.. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 109 p
TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES
Aparece en las colecciones: Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones

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