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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3351| Estudio teórico y experimental de los estados comprimidos de un láser de semiconductor | |
| Maritza Lizett Oviedo Berrelleza | |
| Arturo Arvizu Mondragon | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Láser | |
| En este trabajo se describen los conceptos básicos así como el diseño, implementación y caracterización de un experimento orientado a la obtención de la compresión en intensidad de la luz de un láser de semiconductor. Se reporta asimismo un esquema de medición balanceado empleado para evaluar experimentalmente tanto el nivel de ruido “shot” estándar como el nivel de ruido de intensidad en exceso de una fuente Óptica. Se muestran algunos resultados obtenidos en la reducción del ruido en intensidad de un láser de semiconductor operando a 1547.95 nanómetros. El ruido de intensidad de los láseres de semiconductor es originado esencialmente por el carácter discreto y aleatorio en la emisión de los fotones así como por el proceso de emisión espontánea en la fuente Óptica. Su reducción tiene una gran importancia para diversas aplicaciones tales como sistemas de comunicaciones ópticas y sensores, ya que de esta forma puede optimizarse la relación señal a ruido en la etapa de fotorrecepción. Sin embargo, tradicionalmente se ha considerado que existe un límite fundamental en la reducción de este ruido, el denominado límite cuántico. Por otro lado, recientemente se ha demostrado que éste no es un límite fundamental absoluto. En efecto, haciendo uso de la expresión de la incertidumbre de Heisenberg puede mostrarse que la incertidumbre en la amplitud del campo díptico (ruido de intensidad) puede reducirse a expensas de la incertidumbre en su fase y viceversa; a este proceso se le conoce como compresión de la luz. Es en ese contexto que se desarrolla la realización del presente trabajo.
This thesis presents basic concepts, the design, implementation and test of an experimental set-up intended to obtain the squeezed states of the light of a semiconductor laser. We also describe a measurement system used for the experimental evaluation of the “shot” and excess intensity noises. We report several results obtained on the reduction of the intensity noise of a semiconductor laser working at 1547.95 nm. The intensity noise of semiconductor lasers is mainly due to the random and discrete nature of the photon emission as such the spontaneous emission in the optical sources. The reduction of such noise is very important for applications such as communication systems and sensors because in this way the signal-to-noise ratio on the front-end photo receiver could be optimized. However, there exists, traditionally, a fundamental limit known as the quantum limit. On the other hand, has been shown recently by means of the Heisenberg’s uncertainty expression that in fact this is not a fundamental limit; the amplitude uncertainty (intensity noise) can be reduced at the expense of the phase uncertainty and vice versa. This process is known as light squeezing. In this context we developed our work. | |
| CICESE | |
| 2003 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Oviedo Berrelleza, M. L. 2003.Estudio teórico y experimental de los estados comprimidos de un láser de semiconductor. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 85 pp. | |
| ÓPTICA | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Óptica |
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