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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3398| Crecimiento y caracterización de películas delgadas de diamante. | |
| Gustavo Alonso Hirata Flores | |
| Leonel Susano Cota Araiza | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Películas delgadas de diamante - Crecimiento | |
| Se describe el diseño y la construcción de una cámara de Depósito por Vapor Químico de Filamento Caliente (por las siglas en inglés de Hot Filament Chemical Vapor Deposition, HF-CVD). Se utiliza la cámara para el crecimiento de películas delgadas de diamante sobre dos tipos de sustratos: (1) silicio monocristalino (x-Si) y ( 2) silicio monocristalino recubierto con una capa delgada de carburo de silicio microcristalino (µc-SiC:H/x-Si). En este trabajo se ha desarrollado un nuevo método para el depósito de películas uniformes de diamante policristalino sobre sustratos lisos de silicio cristalino (x-Si) mediante un proceso de dos etapas. En la primera etapa se deposita una película delgada de carburo de silicio microcristalino (µc-SiC:H) sobre sustratos de silicio monocristalino (x-Si) mediante la técnica de Deposito por Vapor Químico de Plasma por Resonancia Electrónica de Ciclotrón (Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition, ECR Plasma CVD). En la segunda etapa se depositan películas de diamante sobre los sustratos de µc-SiC:H/x-si utilizando la técnica de Depósito por Vapor Químico de Filamento Caliente (HF-CVD). Para establecer que las películas producidas en este trabajo presentaban las propiedades de una película policristalina de diamante, éstas se analizaron con Espectroscopía de Electrones Auger, Espectroscopía de Pérdidas de Energía de Electrones, Microscopía de Barrido Electrónico, Espectroscopía Raman y por Difracción de Rayos-X. El depósito de la capa de carburo de silicio (µc-SiC:H) en la superficie del sustrato juega un papel importante, ya que proporciona centros de nucleación de carburo de silicio (Sic) sobre los cuales las partículas de diamante inician su crecimiento dando lugar a una película policristalina uniforme. The design and set up of a Hot-Filament Chemical Vapor Deposition (HF-CVD) chamber is described. The chamber is used to grow diamond thin films on two different substrates: (1) monocrystalline silicon (x-Si) and (2)crystalline silicon initially covered with a microcrystalline silicon earbide (µe-sic) buffer film. In this work a two step method to deposit polyerystalline diamond films on smooth silicon substrates has been developed. Dú.ring the first step a µe-sic buffer layer is deposited on x-Si wafers by means the Eleetron Cyelotron Resonanee Plasma Chemieal Vapor Deposition teehnique (ECR Plasma CVD). The second part of the experiment is the growth of diamond films on the µe-SiC/substrates by using a HF-CVD reaetion system. In order to established if the f ilms produced in this work are indeed diamond, they were analyzed wi th Auger Electron Spectroscopy (AES), Electron Energy Loss spectroscopy (EELS), Scanning Electron Microscpy (SEM), Raman Spectroscopy and X-Ray Difraction techniques. The initial deposit of a microcrystalline silicon carbide (µe-sic) buffer film on the surface substrate plays an important role on the nucleation and growth of diamond particles. It provides nucleation centers of silicon carbide (SiC) on which diamond particles may nucleate giving up a uniform coating. | |
| CICESE | |
| 1993 | |
| Tesis de doctorado | |
| Español | |
| Hirata Flores, G. A. 1993.Crecimiento y caracterización de películas delgadas de diamante. Tesis de Doctorado en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 69 pp. | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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