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Crecimiento y caracterización de películas delgadas ferroeléctricas de Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 depositadas por la técnica de erosión iónica a altas presiones de oxígeno
Oscar Blanco Alonso
Jesús Leonardo Heiras Aguirre
Acceso Abierto
Atribución
Películas delgadas
En las últimas tres décadas se ha observado un marcado incremento en la investigación de los materiales ferroeléctricos en muy diversas formas, incluyendo monocristales, cerámicas, líquidos, polímeros y películas delgadas. La importancia técnica y científica de las películas delgadas de óxidos ferroeléctricos multicomponentes queda de manifiesto por la variedad de aplicaciones que en los campos de la microelectrónica y de dispositivos discretos están actualmente bajo investigación, entre los que se encuentran: memorias no volátiles, memorias de acceso dinámico aleatorio (DRAM), sensores piroeléctricos infrarrojos, filtros de ondas acústicas superficiales, microactuadores y moduladores e interruptores electroópticos. La utilización potencial de los materiales ferroeléctricos ha generado intensos esfuerzos de investigación a fin de establecer con precisión las relaciones existentes en las películas delgadas de óxidos multicomponentes, entre la síntesis y el procesamiento con su microestructura y propiedades. El trabajo de investigación desarrollado en esta tesis se enfocó al crecimiento y caracterización de películas delgadas de la cerámica ferroeléctrica Pb(Zr0_53 Tio.47 )03 (PZT), sobre substratos monocristalinos de LaAlO3, SrTiO3, Sr(Nb )TiO3 y Si mediante la técnica de erosión iónica rf a altas presiones de oxígeno, técnica no convencional para el depósito de este sistema . Para el caso particular del Si se usaron como electrodos inferiores capas de TiO2 y Pt, así como el óxido conductor el LaSro.sCo.sO3; a fin de obtener las mejores características cristalinas y de composición. En tal estudio se buscó la descripción y comprensión de las relaciones existentes entre el método de procesamiento con la estructura y propiedades de las capas crecidas.
The study of ferroelectric materials in different forms such as single crystals, ceramics, liquids, polymers and thin films, has had a notable increase in the past three decades. The scientific and technological implications of ferroelectric materials, and particularly of ferroelectric thin films, are shown by the great number of applications in different technological fields such as: Dynamic random access memories (DRAMs), non-volatile memories, infrared sensors, surface acoustic wave filters (SAWs), microactuators and electrooptics switches and modulators. The potential use of ferroelectric thin films has promoted important scientific efforts to precisely determine the relationships between the synthesis and processing of the films with their microstructure and properties. This thesis is focused to the growth and characterization of thin film of Pb(Zro.53 Tio.47 )03 ferroelectric ceramic, deposited by a high-pressure oxygen sputtering technique, unconventional technique to grow film of this ferroelectric system, on LaA103 , SrTi03, Sr(Nb )Ti03 and Si substrates. Ti02 and Pt layers and LaSro.sCoo.sÜ3 conducting oxide layers were used as bottom electrodes on Si substrates to obtain the best structural and compositional characteristics. The work is dedicated to the description and understanding of the relationships between the preparations processes and the structural and physical properties of the grown heterostructures.
CICESE
2003
Tesis de doctorado
Español
Blanco Alonso, O. 2003.Crecimiento y caracterización de películas delgadas ferroeléctricas de Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 depositadas por la técnica de erosión iónica a altas presiones de oxígeno. Tesis de Doctorado en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 123 pp.
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