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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/582| Efecto de la concentración de Indio en las propiedades ópticas de películas de InxGa1-xN en fase hexagonal Effect of the indium concentration on the optical properties of InxGa1-xNfilms in hexagonal phase | |
| Antonio Ramos Carrazco | |
| RAFAEL GARCIA GUTIERREZ ELENA TCHAIKINA KOLESNIKOVA | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Semiconductor,Luminiscencia,Luminescence,Optoelectrónica,Optoelectronic | |
| La aplicación de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AIN) en dispositivos optoelectrónicos ha generado importantes avances en el desarrollo de emisores de luz, en el rango de longitudes de onda desde el UV hasta el visible. En particular, el InxGa1-xN es una cerámica novedosa debido a su amplio ancho de banda de la energía prohibida (0.7 eV a 3.4 eV), la cual es posible variar con la concentración de indio en la solución sólida. En este trabajo, se reporte el efecto de la concentración de indio sobre las propiedades ópticas de una serie de películas de InxGa1-xN (0≤x0.3) en fase hexagonal, depositadas sobre zafiro utilizando la técnica de depósito por vapor químico. En específico, los resultados de la caracterización óptica realizada por medio de las técnicas de espectroscopia de absorción UV-visible y fotoluminiscencia. Además, se presentan los resultados de las técnicas electrónicas de microscopia electrónica de barrido y difracción de rayos X. Se reporta la emisión extrínseca en la región de longitudes de onda de ≈570 nanómetros dominante en todas las películas de InxGa1-xN y la presencia de las fases indeseables derivadas de indio (In203,InN y clusters In metálico). Finalmente, se presenta la correlación de la energía de la banda prohibida y la concentración de indio incorporada en las películas de InxGa1-xN obtenida por los métodos de absorción, fotoluminiscencia y difracción de rayos X. The application of the nitrides of group III (InN-GaN-AIN) in optoelectronic devices has important advances in the development of light emitters in the wavelength region from UV to visible. In particular, the InxGa1-xN is a novel ceramics due to its wide band gap (0.7 eV to 3.4 eV), which is possible to vary with the indium concentration in the solid solution. In this work, the effect of indium concentration on the optical propierties of a series of InxGa1-xN films (0≤x≤0.3) in hexagonal phase deposited on sapphire using the technique of chemical vapor deposition CVD) is reported. The results of optical characterization of absortion spectroscopy and photoluminescence (PL) are reported. In addition, the electronic techniques results of scanning electron microscope (SEM) and X-ray diffraction (XRD) are presented. An extrinsic emission in the wavelenght region of ≈ 570 nm dominant in all the InxGa1-xN films and the presence of undesirable phases derived from indium (In203 InN and metallic In clusters) are reported. The correlation of the band gap energy and the indium concentration obtained by absortion, photoluminescence and X-ray diffraction techniques is presented. | |
| CICESE | |
| 2009 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Ramos Carrazco,A.2009.Efecto de la concentración de Indio en las propiedades ópticas de películas de InxGa1-xN en fase hexagonal.Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.76 pp. | |
| ÓPTICA | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Óptica |
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