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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/680| Extracción de las fuentes de corriente de desplazamiento de transistores GaN utilizando un analizador de redes no-lineal Extraction of the displacement current sources of GaN transistors by using a nonlinear network analyzer | |
| MARLON MOLINA CESEÑA | |
| J. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Transistor de potencia, modelo, ondas de voltaje y corriente | |
| Los sistemas de comunicaciones actuales utilizan un conjunto de dispositivos que transmiten señales desde un punto a otro. Muchos dispositivos presentan no–linealidades a su salida cuando una señal de alta potencia es aplicada en la entrada, esto significa que la señal de salida tiene componentes de frecuencia que no están presentes en la señal de entrada. Estas no–linealidades las presentan los amplificadores de potencia, mezcladores, osciladores, interruptores, etc. El elemento más importante en cada uno de estos dispositivos es el transistor de potencia y su caracterización debe ser llevada cabo bajo las condiciones de operación que el diseñador de circuitos de alta frecuencia necesita. Las no–linealidades deben ser predichas por un modelo que represente el funcionamiento del transistor, además el modelo debe ser fácil de utilizar en un simulador de circuitos de alta frecuencia. Antes de ser utilizado, el modelo debe ser validado con mediciones que simulen el funcionamiento real del transistor. Estas mediciones pueden ser parámetros S, potencia de entrada contra potencia de salida, contornos de Load – Pull u ondas de voltaje y corriente. El objetivo principal de este trabajo es la extracción de la fuente de corriente de desplazamiento y la validación del modelo extraído utilizando mediciones de ondas de voltaje y corriente. Communication systems use a set of devices that transmit signals from one place to another. Solid state devices present nonlinearities on the output signal when a high power input signal is applied, this means that the output signal has frequency components that they are not presented in the input signal. These nonlinearities are presented on power amplifiers, mixers, oscillators, high frequency switches and so on. The most important element in each of these devices is power transistor and its characterization must be performed under operation condition that high–frequency circuit designer needs. Nonlinearities must be predicted for a model that it represents operation of the transistor, besides the model must be easy to use on the high–frequency circuits simulator. Before to be used, the model must be validated with measurements that they simulate the real operation of the transistor. These measurements can be S-parameters, power input vs power output, Load-Pull contours or voltage and current waves. Objective of this work is displacement current source extraction and extracted model validation by using voltage and current waves measurements. | |
| CICESE | |
| 2017 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Molina Ceseña, M. 2017. Extracción de las fuentes de corriente de desplazamiento de transistores GaN utilizando un analizador de redes no–lineal. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 122pp. | |
| INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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| Extracción de las fuentes de corriente de desplazamiento de transistores GaN utilizando un analizador de redes no-lineal (fotos corregidas).pdf | Versión completa de la tesis | 36.34 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |