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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/984| Crecimiento de FeN sobre GaN FeN growing over GaN | |
| Daniel González Sánchez | |
| Noboru Takeuchi Tan | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Nitruro de galio,Nitruro de hierro,Funcional de densidad | |
| Se realizaron cálculos de primeros principios, dentro del marco de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT), para estudiar la estructura electrónica de un sistema consistente en una capa de nitruro de hierro cúbico (FeN), crecido sobre una capa de nitruro de galio tipo wurtzita (w-GaN), con el objetivo de entender las propiedades magnéticas y electrónicas del sistema FeN/w-GaN(0001). Resultados encontrados en la literatura (Lin et al., 2008) han mostrado que una película de estructura cúbica puede acomodarse bien con sustratos hexagonales, dada una particular orientación de crecimiento. Se ha simulado el crecimiento a~nadiendo monocapas de FeN una por una sobre una capa de w-GaN. La herramienta que se utilizó en la tesis es la de la teoría del funcional de densidad, que se ha desarrollado a partir de la aproximación de Thomas-Fermi-Dirac para el cálculo de la energía de un sistema, así como los teoremas de Hohenberg y Khon, y el enfoque aplicado por Kohn y Sham. Los resultados teóricos fueron comparados con los resultados encontrados en la literatura que han mostrado que películas de FeN tienen una bien orientada relación epitaxial con el sustrato y crecen suavemente en las primeras monocapas. First principles calculations within the Density Functional Theory (DFT) framework were performed to study the electronic structure of a system consisting of a layer of cubic iron nitride (FeN), growing over a layer of galium nitride in wurtzite phase (w-GaN), in order to understand the electronic and magnetic properties of the FeN/w-GaN(0001) system. Experimental results found in the literature (Lin et al., 2008) have shown that a cubic structure film can match very well with hexagonal substrates, given a particular orientation. It was simulated the growing by adding monolayers of FeN one by one over a layer of wGaN. The tools that will be used in this thesis are the ones of the density functional theory, developed from the Thomas-Fermi-Dirac aproximation for the estimate of a system energy, the Hohenberg and Khon theorems, and the aproach by Kohn and Sham. The theoretical results were compared with the results found in the literature that have shown that the FeN films have a well-oriented epitaxial relationship with the substrate and grow smoothly for the first few monolayers. | |
| CICESE | |
| 2012 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| González Sánchez, D.2012.Crecimiento de FeN sobre GaN.Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.74 pp. | |
| OTRAS ESPECIALIDADES FÍSICAS | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física de Materiales |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| 189361.pdf | Versión completa de la tesis | 2.28 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |