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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/213| Modelado no lineal de los capacitores intrínsecos Cgs y Cgd de los transistores de efecto de campo de tecnología GaN Nonlinear modeling of intrinsic capacitances Cgs and Cgd of the field-effect transistors based on GaN technology | |
| Perla Yessenia Romero Rojas | |
| J. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Interfaz de datos distribuidos por fibra óptica (Estándares de redes de computadoras) | |
| Las tecnologías más prometedoras en el desarrollo de las telecomunicacionesson aquellas basadas en materiales de banda prohibida ancha, tales como lossemiconductores de nitruro de galio (GaN) y sus aleaciones (AlGaN, InGaN), loscuales han surgido a lo largo de la última década como dispositivos aplicables entransistores FET para requerimientos de alta potencia y alta temperatura.Los modelos del transistor nos ayudan a predecir el comportamiento de estosdispositivos bajo diferentes condiciones de operación. Los transistores FET pueden sermodelados por medio de una representación llamada circuito eléctrico equivalente, elcual nos permite asociar a cada región del transistor, un elemento que compone elcircuito eléctrico equivalente.El comportamiento de transistores HEMT de AlGaN/GaN operando con altosniveles de potencia de entrada, puede ser confiablemente modelado por medio delmodelo no lineal, el cual es extraído a partir de mediciones de parámetros S ymediciones pulsadas de I-V. El elemento que presenta la mayor no linealidad es lafuente de corriente Ids, y las capacitancias Cgs y Cgd del transistor intrínseco.Las capacitancias intrínsecas Cgs y Cgd pueden presentar efectos importantesque afectan el rendimiento del transistor, por lo que se propone un nuevo modelo parapredecir su comportamiento en régimen no lineal para dispositivos basados en GaN. Setrata de un modelo empírico basado en expresiones analíticas obtenidas a partir dedatos medidos de transistores HEMT de GaN. The most promising technologies for the development of thetelecommunications are those based on wide band gap materials such as gallium nitridesemiconductor (GaN) and his alloys (AlGaN, InGaN), which have been developed overthe last decade as an applicable technology to FET transistors for high power and hightemperature requirements.Transistor models allow us to predict the performance of these devices underseveral operating conditions. FET transistors can be modeled by an equivalentelectrical circuit, which are extremely useful to associate each region of the transistor toan element of the equivalent electrical circuit.The performance of AlGaN/GaN HEMT transistors operating with high inputpower levels can be accurately modeled by the nonlinear model, which is extractedfrom S-parameter measurements and pulsed IV measurements. The elements thosehave the highest nonlinearities are the source current Ids and the capacitances Cgs andCgd of the intrinsic transistor.Intrinsic capacitances Cgs and Cgd can have a significant impact on the transistorperformance, so we propose a new model to predict their behavior in nonlinearoperation for GaN based devices. It’s an empirical model based on analyticalexpressions derived from measured data of GaN HEMT transistors. | |
| CICESE | |
| 2010 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Romero Rojas, P. Y. 2010. Modelado no lineal de los capacitores intrínsecos Cgs y Cgd de los transistores de efecto de campo de tecnología GaN. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 169 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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