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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2741| Desarrollo de un nuevo método de extracción de los elementos intrínsecos del circuito eléctrico equivalente de transistores de potencia a base de Nitruro de Galio utilizando los puntos extremos de los parámetros de admitancia Develoment of a new method for extracting the intrinsic elements of the equivalent electrical circuit gallium nitride based power transistors using the extreme points of admittance parameters | |
| Jaquelin Estrada Mendoza | |
| J. Apolinar Reynoso Hernandez | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Circuito eléctrico equivalente de pequeña señal, elementos intrínsecos, parámetros Y, HEMT´s ALGaN/GaN, Small signal equivalent electrical circuit, intrinsic elements, Y parameters | |
| Los transistores de alta movilidad electrónica a base de Nitruro de Galio (HEMT-GaN) son el centro de una intensa investigación en los últimos tiempos y son fuertes candidatos en la fabricación de amplificadores de potencia de microondas de alta linealidad y alta eficiencia. Un circuito eléctrico equivalente de pequeña señal proporciona un medio para describir las propiedades eléctricas del dispositivo bajo prueba (DUT) las cuales están directamente ligadas a la estructura del dispositivo. Cada uno de los elementos del circuito eléctrico equivalente se aproxima a un elemento de tipo concentrado, el cual se relaciona con algún aspecto físico del dispositivo. El modelo lineal de circuito eléctrico equivalente de los transistores de efecto de campo es la célula básica del modelo no-lineal y del modelo de ruido. Además, es muy importante el análisis y diseño de circuitos de microondas ya que proporcionan una relación entro los parámetros S y el proceso eléctrico ocurrido dentro del dispositivo. Actualmente, el método más usado para obtener los elementos del circuito eléctrico equivalente es el propuesto por Berroth. El método de Berroth requiere para su implementación de encontrar el rango de frecuencias en donde el valor del elemento es independiente de la frecuencia. Usando los puntos extremos (máximos o mínimos) de los parámetros de admitancia, en este trabajo de tesis se propone un método de extracción de elementos intrínsecos Ri, Rgd, Cgs, Cgd más simple y sencillo que el de Berroth. The high electron mobility transistor based on Gallium Nitride (HEMT-GaN) has been the focus of intense research in the last few years and they are promising candidate for fabrication of microwave power amplifiers with high linearity and high efficiency. A small signal equivalent electrical circuit provides means to describe the electrical properties of the device under test (DUT) which are linked to the device structure. Each of the equivalent electrical circuit elements approximates a concentrated type element, which is related to some physical aspect of the device. The linear model of the equivalent electrical circuit for field effect transistor is the basic cell for nonlinear and noise modeling. It is also very important in the analysis and design of microwave circuits because they provide a relationship between the S parameters and the electrical process occurred within the device. Currently, the most used method to obtain the equivalent electrical circuit elements is that proposed by Berroth. The Berroth method requires finding the frequency range where the element value is independent of frequency. Using the extreme points (maximum or minimum) of admittance parameters, this thesis proposes a new method for extracting the intrinsic elements Ri, Rgd, Cgs, Cgd in a more simple way than Berroth. | |
| CICESE | |
| 2009 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Estrada Mendoza, J.2009.Desarrollo de un nuevo método de extracción de los elementos intrínsecos del circuito eléctrico equivalente de transistores de potencia a base de Nitruro de Galio utilizando los puntos extremos de los parámetros de admitancia .Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.104 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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