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http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3162| Estudio analítico de un transistor de efecto de campo de Arseniuro de Galio | |
| Juan Pérez Téllez | |
| Arturo Serrano Santoyo | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| Acceso multiple por división de código, Sistemas de comunicaciones inalámbricas | |
| Se describe un método para obtener los parámetros de dispersión de un GaAsFET, en función de sus parámetros geométricos, del material semiconductor y de las condiciones de polarización para la banda de frecuencias desde 3.7 hasta 4.2 GigaHertz. Se obtienen soluciones analíticas que describen el comportamiento interno del FET y se evalúan por computadora. Con esto se asocia un circuito equivalente al transistor de efecto de campo. El análisis del circuito equivalente se realiza considerando el circuito como una red de dos-puertos y obtener los parámetros- y en fuente común por métodos convencionales. A continuación se enlistan los puntos más importantes en el desarrollo de este trabajo. - La física del transistor de efecto de campo. - Análisis del circuito equivalente del FET. - Cálculo de los parámetros de dispersión del FET. | |
| CICESE | |
| 1979 | |
| Tesis de maestría | |
| Español | |
| Pérez Téllez, J. 1979.Estudio analítico de un transistor de efecto de campo de Arseniuro de Galio. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 81 pp. | |
| TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES | |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Electrónica y Telecomunicaciones |
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