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Propiedades físicas de la heteroestructura ((Bi1-xLa0.10GdxFeO3/Si (100) depositada por erosión iónica en radio frecuencia con magnetrón
Physical properties of the heterostructure ((Bi1-x La0.10GdxFeO3/Si (100) deposited by magnetron radiofrequency sputtering
María de la Luz Mercado Ramírez
Jesús María Siqueiros Beltrones
Subhash Sharma
Acceso Abierto
Atribución
películas delgadas, BiFeO3, erosión iónica
Thin films, BiFeO3, RF-magnetron sputtering
En los últimos años los materiales multiferroicos han tenido gran impacto tecnológico en dispositivos de nueva generación basados en la coexistencia de ordenamientos ferroicos, esto es, ferroeléctrico, magnético y/o elástico. En este trabajo se presentan los resultados de los estudios sobre el ferrato de bismuto impurificado con La y Gd en bulto y en películas delgadas depositadas sobre sustratos de Si(100) por medio de la técnica de erosión iónica asistida con magnetrón en radiofrecuencia. Se presentan, además, los estudios realizados sobre la heteroestructura Si/SiO2SRO/BLGFO/ITO, donde SRO es rutenato de estroncio (SrRuO3), BLGFO es ferrato de bismuto impurificado con lantano y gadolinio (Bi1-xLaxGdxFeO3) e ITO es óxido de estaño e indio (SnO2:In). En el caso de películas delgadas, se optimizaron las condiciones de depósito: tiempo de depósito, temperatura, separación sustrato-blanco y potencia de RF. La caracterización de sus propiedades físicas se realizó mediante las técnicas de difracción de rayos X para determinar su estructura cristalina y la presencia de diferentes fases; microscopía electrónica de barrido para determinar su microestructura y composición, microscopía de fuerza atómica para determinar su topografía superficial; análisis de la permitividad dieléctrica para investigar los mecanismos de conducción; elipsometría espectroscópica para caracterizar la respuesta óptica y un sistema de caracterización ferroeléctrica para determinar la respuesta ferroeléctrica. En función de los resultados de la caracterización, se sugieren posibles aplicaciones tecnológicas de estas heteroestructuras, por ejemplo, como elementos activos de dispositivos fotovoltaicos.
In recent years, multiferroic materials have had a great technological impact on new generation devices based on the coexistence of ferroics orderings: ferroelectric, magnetic and/or elastic. This work presents the results of the studies of bismuth ferrate doped with La and Gd in bulk and in thin films deposited on Si(100) substrates by means of the radiofrequency magnetron-assisted ion sputtering technique. In addition, the studies carried out on the Si/SiO2SRO/BLGFO/ITO heterostructure are presented, where SRO stands for strontium ruthenate (SrRuO3), BLGFO is bismuth ferrate impurified with lanthanum and gadolinium (Bi1-xLaxGdxFeO3) and ITO is a indium tin oxide (SnO2:In). In the case of thin films, deposition conditions such as time, temperature, substrate-target separation, and RF power were optimized. The characterization of its physical properties was carried out using the X-ray diffraction technique to determine its crystalline structure and the presence of different phases; scanning electron microscopy to determine its microstructure and composition, atomic force microscopy to determine its surface topography; dielectric permittivity analysis to investigate conduction mechanisms; spectroscopic Ellipsometry to characterize the optical response and a ferroelectric characterization system to determine the ferroelectric response. Based on the results of the characterization, possible technological applications of these heterostructures are suggested, for example, as active elements of photovoltaic devices.
CICESE
2023
Tesis de maestría
Español
Mercado Ramírez, M.L. 2023. Propiedades físicas de la heteroestructura ((Bi1-xLa0.10GdxFeO3/Si (100) depositada por erosión iónica en radio frecuencia con magnetrón. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 73 pp.
PROPIEDADES DE LOS MATERIALES
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